Es el término utilizado para expresar la diferencia entre el ancho de una estructura de Fotoresist después del proceso de revelado y el ancho final medido en la parte superior (Top) de la estructura de Cobre obtenida después del proceso de Etching, correspondiendo en la práctica al ancho de cobre ubicado bajo la capa protectora de Estaño o Fotoresist y que ha sido removido en exceso por el proceso.